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深亚微米槽栅PMOSFET特性研究

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摘要

基于流体动力学能量输运理论,对槽栅PMOSFET器件的端口特性进行了仿真研究,包括栅极特性、漏极驱动能力和抗热载流子性能等.仿真结果表明,与平面器件相比,槽栅结构很好地抑制了短沟道效应和漏感应势垒降低效应,并具有较好的抗热载流子性能,但其漏极驱动能力低于平面器件,并从内部物理机制上解释了上述区别.

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来源
《电子器件》 |2003年第3期|233-239|共7页
作者
任红霞; 张晓菊; 郝跃;
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作者单位

西安电子科技大学,微电子研究所,西安,710071;

西安电子科技大学,微电子研究所,西安,710071;

西安电子科技大学,微电子研究所,西安,710071;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
槽栅PMOSFET; 栅极特性; 漏极特性; 热载流子效应;

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