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纵向对称双硅栅薄膜MOSFET的等电位近似模型

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论述了纵向对称双硅栅薄膜 MOSFET的等电位近似模型的研究 ,通过对该器件建立泊松方程 ,并利用在阈值电压附近硅膜中的等电位近似 ,得到了这种对称双硅栅 MOSFET器件的电流模型 ,并在不同参数下对该模型进行了模拟 ,最终得到 Ids-Vg

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来源
《固体电子学研究与进展》|2002年第1期|14-18|共5页
作者
沈寅华; 李伟华; 叶晖; 陈炜;
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作者单位

东南大学微电子中心;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
双栅金属氧化物半导体场效应管; 等电位近似模型; 纵向对称双硅栅薄膜;

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