机译:双掺杂多晶硅栅MOSFET的亚阈值表面电势和漏极电流的二维半分析模型
Anhui Univ, Inst Elect & Informat Engn, Hefei 230601, Peoples R China;
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机译:具有垂直高斯型掺杂轮廓的掺杂双栅极(DG)MOSFET的表面电势和亚阈值电流的二维模型
机译:短沟道双金属栅(DMG)全耗尽型凹源极/漏极(Re-S / D)SOI MOSFET的分析亚阈值电流和亚阈值摆幅模型
机译:横向非对称沟道(LAC)MOSFET的亚阈值表面电势和漏极电流模型
机译:基于表面电位的基于表面电位漏洞MOSFET中的漏极电流模型
机译:用6H碳化硅开发自对准多晶硅栅MOSFET
机译:具有位置载流子散射相关性的准弹道漏电流电荷和电容模型对纳米级对称DG MOSFET有效
机译:硅锗(SiGe)MOSFET上的双材料栅极(DMG)应变硅(s-Si)的二维(2D)亚阈值电流和亚阈值摆幅模型。
机译:多晶硅栅极对具有薄栅氧化层的亚100nm mOsFET中随机掺杂诱导阈值电压波动的影响