超薄层常压外延工艺研究

摘要

为了满足一种3mm雪崩渡越二极管的技术要求,改进了常压外延工艺,在PE-2061S硅外延设备上,实现了100mm硅片超薄外延层的生长。外延层厚度为0.45～0.55μm,外延层与衬底之间的过渡区宽度大于0.2μm。过渡区宽度以及外延层厚度和掺杂浓度的精确控制,提高了器件的微波性能。