低电容TVS用常压外延工艺研究

摘要

低电容瞬态电压抑制器(TVS)由高阻外延的雪崩二极管与低阻衬底的导引二极管组合而成.区别于常规的单片减压外延工艺,在常压外延条件、多片生长模式下,通过衬底背面的自吸硅以及低温长缓冲层工艺,有效抑制了外延过程中的自掺杂,在P型重掺衬底上生长出薄层高阻的N型外延层,降低了低电容TVS雪崩二极管的反向击穿电压,提高了浪涌抑制能力.