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机译:常压H_2基等离子体中异质外延立方碳化硅层生长的研究
Atmospheric-Pressure Plasma; Cubic Silicon Carbide; Heteroepitaxial Growth; Porous Carbon Electrode; Chemical Transport;
机译:常压H_2基等离子体中异质外延立方碳化硅层生长的研究
机译:优化在硅衬底上生长立方碳化硅的缓冲层
机译:使用多晶硅作为籽晶层在微机电设备中在氧化物上生长立方碳化硅
机译:立方碳化硅外延生长后硅衬底界面位错的光致发光研究
机译:研究4H-碳化硅衬底和同质外延层的生长机理和缺陷来源。
机译:立方碳化硅外延层中缺陷的非线性光学成像
机译:硅(111)衬底上异质外延生长的碳化硅中取向不正当的外延层倾斜和应力分布
机译:电子光学研究β金属碳化硅层的金属中间体的异质生长。