碳化硅异质外延薄膜生长及表面缺陷研究

摘要

讨论了引入Ⅲ Ⅴ族氮化物为蓝宝石与碳化硅中间的缓冲层 ,用常压气相外延手段在蓝宝石 /Ⅲ Ⅴ族氮化物复合衬底上异质外延碳化硅薄膜的过程 .在C面 (0 0 0 1)蓝宝石上成功地生长出SiC薄膜 .扫描电子显微镜显示薄膜表面连续、光滑 ,证明良好的氮化物缓冲层对碳化硅薄膜异质生长具有重要的意义 ,同时在表面发现直径为 1～ 10 μm的六角形缺陷 .对缺陷面密度与工艺参数的关系进行了分析 ,并对缺陷产生的机理进行了探讨 ,认为反应产生物的腐蚀是产生六角形缺陷的来源 .