公开/公告号CN112490117B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-10
原文格式PDF
申请/专利权人 瀚天天成电子科技(厦门)有限公司;
申请/专利号CN202011420249.X
申请日2020-12-08
分类号H01L21/02(20060101);H01L21/04(20060101);
代理机构35218 厦门市精诚新创知识产权代理有限公司;
代理人刘小勤
地址 361001 福建省厦门市火炬高新区(翔安)产业区翔星路96号建业楼B座一层
入库时间 2022-08-23 12:16:31
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-08-01
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L21/02 专利号:ZL202011420249X 变更事项:专利权人 变更前:瀚天天成电子科技(厦门)有限公司 变更后:瀚天天成电子科技(厦门)股份有限公司 变更事项:地址 变更前:361001 福建省厦门市火炬高新区(翔安)产业区翔星路96号建业楼B座一层 变更后:361001 福建省厦门市火炬高新区(翔安)产业区翔星路96号建业楼B座一层
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
机译: 碳化硅外延晶片,碳化硅外延晶片的制造方法,碳化硅外延晶片的制造装置以及碳化硅半导体元件
机译: 碳化硅外延晶片,碳化硅外延晶片的制造方法,碳化硅外延晶片的制造装置以及碳化硅半导体元件
机译: 碳化硅外延衬底,制造碳化硅外延衬底的方法,制造碳化硅半导体器件的方法,用于碳化硅生长设备的构件和碳化硅生长设备