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李智囊;
中国电子学会;
电子器件; 外延工艺; 薄层高阻; 技术指标;
机译:退火工艺对金属有机分解在LaAlO_3上外延生长的La_2Zr_2O_7薄层微观结构的影响
机译:从金属无毒化合物对薄层/瓦斯薄层制造方法的气相外延方法的可能性研究
机译:使用ZnCl_2和H_2O源气体通过卤化物气相外延逐步生长同质外延ZnO薄层
机译:高温压力对GaAs和Si衬底上外延薄层薄层薄层应变松弛的影响
机译:载流子寿命测量,用于表征超净p / p +硅外延薄层。
机译:聚对二甲苯钝化技术研究外延石墨烯表面电导率和量子霍尔器件的稳定性
机译:用于开发和表征光伏硅的等离子体工艺的开发:通过PECVD沉积硅的外延薄层:通过LIBS测量固态(20°C)和液态(1414°C)的硅的纯度
机译:具有低载流子浓度的厚同质外延GaN,用于高阻断电压
机译:制造外延层的方法以及使用该外延层制造薄层和半导体器件的方法
机译:液相外延-通过受控回蚀对砷化镓薄层进行液相外延
机译:用于转移薄层,带电极催化剂层的薄层转印片材,制造用于转移薄层的制造工艺,以及制造膜电极组件的方法
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