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倪金玉; 董逊; 周建军; 孔岑; 李忠辉; 李亮; 彭大青; 张东国; 陆海燕; 耿习娇;
南京电子器件研究所;
微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室;
南京210016;
硅衬底; 铝镓氮/氮化镓; 高电子迁移率晶体管; 过渡层;
机译:使用低Al组成的单个AlGaN层在Si衬底上生长高质量且均匀的AlGaN / GaN异质结构
机译:AlGaN阻挡层在AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管中al组合物在AlGaN阻挡层中的影响
机译:使用中温AlGaN缓冲层在(111)Si衬底上沉积AlGaN膜并在Si上优化GaN生长
机译:Si上初始AlN成核层顶部的AlGaN缓冲层的Al含量与AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构的垂直泄漏电流之间的关系
机译:稀土金属添加对Al-Cu和Al-Si-Cu基合金性能的影响=加入稀有金属对Al-Cu和Al-Si-Cu合金性能的影响
机译:使用低Al组成的单个AlGaN层在Si衬底上生长高质量和均匀的AlGaN / GaN异质结构
机译:不同Al含量和Si浓度的Si掺杂AlGaN外延层中缺陷相关发射的不均匀分布
机译:alGaN和alGaN / GaN外延层中的供体,受体和陷阱
机译:p型AlGaN半导体层,基于AlGaN的半导体发光元件,基于AlGaN的半导体光接收元件以及形成p型AlGaN半导体层的方法
机译:Inaln AlGaN Si GaN低薄层电阻GaN通道在Si基板上使用Inaln和AlGan Bi-Lay封盖堆叠
机译:AlGaN / GaNHEMT的表面处理和钝化
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