法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-03-23
授权
授权
2015-07-22
实质审查的生效 IPC(主分类):H01S5/343 申请日:20150202
实质审查的生效
2015-06-24
公开
公开
机译: 不包含AlGaN电子阻挡层的氮化镓基发光二极管为p型GaN,且薄
机译: 具有GaN栅极接触的AlGaN / GaN高高迁移率晶体管及其生产化的空氮化镓
机译: 用于制造发光二极管的高导电性无撕裂氮化镓基缓冲层的生产包括使用具有氮化硅层的III族氮化物缓冲层,以及掺杂施主