工艺参数对真空紫外光直接光CVDSiO_2/Si界面特性的影响

摘要

采用高频（１ＭＨｚ）Ｃ－Ｖ测试和红外谱，研究了工艺参数对Ｘｅ激发真空紫外光（ＶＵＶ）直接光ＣＶＤＳｉＯ２的ＳｉＯ２／Ｓｉ界面特性的影响。结果表明：衬底温度Ｔｓ对固定氧化物电荷密度ΔＮｏｔ、慢界面态密度ΔＮｓｔ的影响比反应室总气压Ｐｃ和ＳｉＨ２／Ｏ２分压比显著。ΔＮｏｔ和ΔＮｓｔ在１１０°Ｃ附近有极小值，大小为１０１０ｃｍ－２量级。Ｔｓ＞１２０°Ｃ，ΔＮｏｔ呈正电荷性，Ｔｓ＜１１０°Ｃ，ΔＮｏｔ呈负电荷性。Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ伸缩振动吸收峰位在１０６０～１０８０ｃｍ－２间，随Ｔｓ的减少而增加。