衬底温度对VUV光直接光CVD SiO_2/Si界面缺陷的影响

摘要

研究了ＶＵＶ（真空紫外）光直接光ＣＶＤ（化学汽相淀积）ＳｉＯ２／Ｓｉ界面微结构缺陷与衬底温度（Ｔｓ）的关系。实验结果表明：在３２℃～１８０℃的温度范围内，与Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ伸缩模相对应的ＩＲ峰位随Ｔｓ的降低从１０６０ｃｍ－１增加至１０８０ｃｍ－１。固定氧化物电荷密度（ΔＮｏｔ）在Ｔｓ＞１２０℃后，呈正电性，与位于３．１０ｅＶ的氧空位缺陷相关；在Ｔｓ＜１００℃一侧，呈负电性，与２．８４ｅＶ能级位置的过剩氧缺陷相关；而在１００℃～１２０℃间，ΔＮｏｔ具有极小值，其大小约在１０１０ｃｍ－２数量级。