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一款600V VDMOS终端结构的设计

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设计了一款600V VDMOS功率器件的终端保护环结构,采用场限环与复合场板相结合的方式降低硅表面的电场峰值,且表面电场分布均匀.在159μm终端长度上仿真实现了670V的耐压,表面电场最大值为2.36e5V*cm-1,提高了终端的可靠性;工艺简单,同时没有增加额外的掩膜与步骤.

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来源
《微电子学与计算机》 |2014年第6期|129-132|共4页
作者
胡玉松; 冯全源; 陈晓培;
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作者单位

西南交通大学微电子研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应器件;
关键词
功率器件; 终端; 表面电场; 耐压;

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