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薛舫时;
南京电子器件研究所;
微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室;
南京210016;
半导体阴极; 铝镓氮; 氮化镓异质结中的屏蔽效应; 阴极表面电势剪裁; 偏压控制电子亲合势的阴极;
机译:X射线自由电子激光器设计光电阴极的观点:异质结构和纳米工程电子态对发射特性的影响
机译:基于InGaN / GaN的多层异质结构的电子探针显微分析和局部阴极发光研究
机译:在完全应变的单个InGaN / GaN异质结构中通过电子空穴等离子体复合产生的受激发射
机译:NI / SIC异质结纳米结构中基于内部电子发射的阴极热发电器
机译:基于(Al,Ga)N / GaN半导体异质结构的深紫外线发射器
机译:X射线光发射光谱法测量的非极性A面GaN / AlN和AlN / GaN异质结构的能带偏移
机译:出版商注:“来自横向电场电子加热下的AlGaN / GaN异质结构的Terahertz辐射的黑体样发射”J。苹果。物理。 109,073108(2011)
机译:铍掺杂GaN缓冲层对外延alGaN / GaN异质结构电子性质的邻近效应
机译:具有改进的GaN系统双异质结构的短波长激光发射二极管
机译:用于冷阴极电场电子发射显示设备的阴极板,冷阴极电场电子发射显示设备和制造用于冷阴极电场电子发射显示设备的阴极板的方法
机译:阴极上发射电子的单阴极电子发射型放电结构的电子发生器
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