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陈少军; 李以贵;
上海交通大学微纳米科学技术研究院;
微米/纳米加工技术国家级重点实验室;
薄膜与微细技术教育部重点实验室;
微机电系统; 电感耦合等离子体(ICP)刻蚀; 平板功率; 正交试验; 深宽比;
机译:氢退火过程中Si(001)上高深宽比孔的形状演变
机译:使用AZ光刻胶作为金属化Si衬底上的牺牲层,释放高深宽比的SU-8微结构
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机译:高深宽比硬质X射线防区板的制备和表征与超纳米晶金刚石模具。
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