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周春宇; 刘超; 石松宁; 宋建军;
辽宁工程技术大学电子与信息工程学院;
西安电子科技大学微电子学院;
应变Si; KP法; 价带; 空穴有效质量;
机译:应变n型Si_(1-x)Ge_x / Si / Si_(1-x)Ge_x双势垒结构中的电子隧穿
机译:(001)张弛Si_(1-y)Ge_y上的应变Si /应变Si_(1-x)Ge_x双通道pMOSFET的沟道电荷的TCAD准备密度梯度计算
机译:应变GE /(111)Si_(1-x)Ge_x的价带结构和空穴迁移率
机译:在应变Si_(1-x)Ge_x /(001)Si的价带顶部附近的DOS
机译:应变对拟晶硅(1-x)锗(x)的影响:价带结构和空穴传输的物理模型。
机译:应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的(001)图案化Si衬底上生长的InP的缺陷
机译:通过分子束外延对在(100)Si上生长的Si_(1-x)Ge_x合金进行(2X8)表面重构的观察
机译:si_(1-x)Ge_x / si异质结内部光电发射红外探测器的光响应模型
机译:利用激光退火形成应变Si沟道和Si 1-x Sub> Ge x Sub>源极/漏极结构
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
机译:蚀刻多晶Si(1-x)Ge(x)层或多晶Si(1-x)Ge(x)层和多晶Si层的叠层的方法及其在微电子学中的应用
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