6H-SiC单晶中的微管和小角度晶界

摘要

利用透射偏光显微术、同步辐射X射线形貌术、高分辨X射线衍射方法对 6H SiC(0 0 0 1)晶片中的微管和小角度晶界等缺陷进行了研究。实验发现 ,在透射偏光显微镜下 ,微管通常呈现为蝴蝶形 ,这是由于微管周围存在着应力场 ,且应力分布不均匀 ,当线偏振光在通过微管周围区域时传播速度不同造成的。从X射线背反射同步辐射形貌像得到晶片中微管的Burgers矢量大小在 2c到 10c之间。从晶片 0 0 0 12衍射的双晶衍射摇摆曲线可以看出 ,晶片的中间大部分区域质量很好 ,双晶衍射峰为单峰且半峰宽很窄 ,一般为 35″左右。在外围区域双晶衍射峰的半峰宽变宽 ,有些区域还会出现衍射峰的分裂 ,这说明外围区域有嵌镶块结构存在。