硅片直接键合工艺中的热过程

摘要

本文介绍了一种利用硅片直接键合(SDB)技术制作Si/Si衬底的方法。从理论上研究了键合过程中的热过程,如键合界面区中氧的扩散和杂质的再分布。利用SDB方法制成了p-n^+二极管,其击穿电压为500V,正向压降略小于0.7V,测得的少子寿命约为7.5μs。