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吴超; 谢自力; 张荣; 张曾; 刘斌; 刘启佳; 聂超; 李弋; 韩平; 陈鹏; 陆海; 郑有炓;
南京大学物理学系;
AlGaN薄膜; Mg掺杂; 热退火; 表面形貌; 阴极射线发光;
机译:具有薄AlGaN势垒层的掺杂沟道AlGaN / GaN MIS-HFET的高温特性
机译:碳掺杂AlGaN / GaN杂结构中的开启电容回收特性的电气研究
机译:综合研究欧姆电学特性和未掺杂AlGaN / GaN异质结构上的Ti / Al / Mo / Au多层欧姆优化
机译:具有二维电子气体的未掺杂和Si掺杂AlGaN / GaN异质结构的光学反射研究
机译:改进IV族光子图:研究外延生长,低温硅和掺杂硅薄膜的材料特性
机译:面向增强模式特性的具有双AlGaN势垒设计的嵌入式栅AlGaN / GaN MIS-HEMT研究
机译:掺杂Mg的AlGaN和GaN / AlGaN超晶格的生长和退火研究
机译:均匀和阶梯掺杂Gaas / alGaas HEmT(高电子迁移率晶体管)的直流,低频和微波特性研究。
机译:GaN缓冲器中的掺杂和陷阱型材工程最大化AlGaN / GaN HEMT EPI堆栈击穿电压
机译:GaN缓冲中的掺杂和陷阱轮廓工程,可最大程度地提高AlGaN / GaN HEMT EPI击穿电压
机译:包含AlGaN / GaN异质结和P掺杂金刚石门的增强型晶体管
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