退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
黄勇; 恩云飞; 章晓文;
广东工业大学材料学院;
信息产业部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及应用技术国家级重点实验室;
负偏压温度不稳定性; 阈值电压; 应力作用时间; 栅氧电场; 温度应力;
机译:混合浅沟槽隔离对应力Si / SiGe沟道HfSiON / SiO_2 p沟道MOSFET的NBTI退化的机械应力效应的沟道长度依赖性
机译:确定亚阈值坡度退化的新的快速切换NBTI表征方法
机译:使用恒定场应力法对NBTI参数表征和寿命预测的磁场减小效应研究
机译:紧凑的可靠性模型,用于电路仿真中由于NBTI和热载流子效应而导致的高级p-MOSFET退化
机译:具有氧氮化物栅极电介质的p + -poly PMOSFET中的热孔退化和负偏压温度不稳定性(NBTI)增强。
机译:NBTI合金通过数值模拟和实验表征的特征机制和渠道偏析的标准
机译:考虑任意温度和电压变化的NBTI诱导性能退化仿真
机译:LBNL上CERN NbTi参考线的表征
机译:在MOSFET器件中恢复与NBTI / PBTI相关的参数退化的方法和控制装置
机译:MOSFET器件中恢复NBTI / PBTI相关参数退化的方法和控制装置
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。