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周春宇; 刘超; 石松宁; 宋建军;
辽宁工程技术大学电子与信息工程学院;
西安电子科技大学微电子学院;
应变硅; 应变Si1-xGex; 本征载流子浓度;
机译:通过使用载流子浓度和应变控制H端(111)Si的氧化动力学:二次谐波研究
机译:在图案化的Si(111)衬底上生长Si浓度变化的GaN纳米棒的应变和形状的研究
机译:(101)双轴应变Si中本征载流子浓度的解析模型
机译:使用射频电浆辅助化学束磊晶成长氮化铟磊晶材料于表面氮化处理矽(111)基板之研究 =Investigation of Epi-InN Materials Grown on Surface Nitride Si (111) Substrate by RF-CBE
机译:纳米尺寸SiC颗粒增强Al-Si基复合材料的热变形行为和应变补偿本构方程
机译:载流子浓度不同的Si(111)上纤锌矿InN外延膜的椭圆偏振光谱研究
机译:si(111)和si(100)上pb的理论研究,H-钝化si纳米线的全局搜索,以及mo的高度局域化的准原子最小基轨道的构造
机译:具有高应变涂层的Si-Ge基半导体器件,用于改善沟道电荷载流子迁移率
机译:SSGOI材料应变Si生长过程中的低浓度SiGe缓冲剂,用于掺杂扩散控制和缺陷减少
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