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任大翠; 王玉霞; 王玲; 丛森;
长春光学精密机械学院;
量子阱; 阈值电流; 量子效率; 半导体激光器;
机译:阱数,腔长和刻面反射率对GaAs / AlGaAs多量子阱激光器阈值电流减小的影响
机译:GaAs / GaAlAs梯度折射率分离约束异质结构单量子阱激光器中光增益,量子效率和阈值电流的温度依赖性
机译:硅上的极低阈值电流密度InGaAs / AlGaAs量子阱激光器
机译:量子阱激光器中具有阱势垒烧孔效应的阈值电流变化
机译:中红外多量子阱激光器,使用数字生长的铝铟砷锑化物势垒和应变铟砷锑化物阱。
机译:电注入II型(GaIn)As / Ga(AsSb)/(GaIn)As W型量子阱激光器的高温工作发射出1.3 µm量子阱激光器
机译:Inp / alGaInas多量子阱环激光器的阈值电流分析
机译:InGaN激光器中阈值电流密度的量子阱宽度依赖性;应用物理快报
机译:量子级联激光器中用于抑制电子泄漏和降低阈值电流密度的多量子阱结构
机译:在基于II / VI的量子阱激光器中使用应变降低阈值电流密度
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