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徐永强; 李贤臣; 孙聂枫; 杨光耀; 周晓龙; 谢德良; 刘二海; 孙同年;
中国电子科技集团公司第十三研究所;
七一五二一部队542厂;
磷化铟; 单晶生长; 位错密度; 大容量直接合成;
机译:SIC大型单晶生长技术 - 平均开发100mm SIC单晶板 -
机译:浅谈:'硫代菌甲基氯化镉氯化镉一水合物(TSCCCM)单晶(TSCCCM)单晶对非线性应用的单晶体(TSCCCM)单晶体的核心动力学,生长,光学,机械,电导率和Z扫描研究[J。母娘。 SCI。母娘。电子。 30(6),15116-15129(2019)]
机译:双异质结晶格匹配和伪形InGaAs HEMT,具有通过LP-MOVPE生长的掺do InP供应层和p-InP势垒增强层
机译:垂直梯度冻结技术生长的掺硫2“ InP的光致发光形貌
机译:利用金属有机分子束外延生长和表征高速掺C的基极InP / InGaAs异质结双极晶体管。
机译:InP在低至220°C的低温下形状受控的InP单晶生长
机译:金属有机化学气相沉积生长的掺锌和掺碳InP / InGaAs HBT的直流和高频性能比较
机译:通过取向依赖的VpE在介电薄膜上横向生长单晶Inp
机译:掺有低生长缺陷的掺有氮的硅单晶晶片及其工艺
机译:通过使用具有单晶结构的核材料的单原子层生长在未损坏的微型单晶空心体表面上作为种子平台的方法和技术安排,以研究核裂变
机译:生长适于制造太阳能电池的掺镓单晶的装置和方法
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