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曾世铭; 常青; 王锻强; 张果虎;
北京有色金属研究总院;
重掺杂; 硅单晶; 直拉法; 掺砷;
机译:外延层重掺砷或掺硼的切克劳斯基硅片中的高温间隙氧扩散延迟
机译:砷超压对分子束外延生长掺Si的(111)A,(211)A和(311)A GaAs的影响
机译:堆叠拉制法制备掺六方内包层的重掺Yb磷酸盐纤维
机译:(111)在衬底上制备的掺氮的GaAs中通过单电子陷阱捕获激子分子
机译:(111)A砷化镓上的压电铟砷化镓/砷化镓应变量子阱结构:MOVPE的生长,性质及其在半导体激光器中的应用。
机译:极化依赖的SFG光谱研究了重环境CO在Pt(111)和Pd(111)上的吸附
机译:回应'评论'从熔体中生长的硅单晶的本征点缺陷并入,重新审视''[J.申请物理学。 111,116102(2012)]
机译:用于模拟空间环境中性能评估的90mm和100mm孔径轴承的制备。
机译:用于硅单晶拉制的砷掺杂剂,其制备方法和使用其的硅单晶制备方法
机译:用于拉晶硅单晶的砷-掺杂剂,其制备方法和使用该方法制备硅单晶的方法
机译:用于拉晶硅单晶的砷掺杂剂,其制备过程以及使用该掺杂剂制备硅单晶的过程
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