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第一章绪论
第二章InP 晶体合成与单晶生长
第三章测试设备与测试方法
第四章富磷InP 单晶体材料特性分析
第五章结论
参考文献
致 谢
攻读学位期间取得的相关学术科研成果
高海凤;
河北工业大学;
富磷; 生长; 晶体材料;
机译:淹没条件下富磷污泥的表征及富磷污泥养分释放规律的研究
机译:磷蒸气压控制下水平布里奇曼法化学计量学控制的Inp单晶生长
机译:在受控磷蒸气压下通过水平布里奇曼法生长InP单晶
机译:通过一步原位MLEK晶体生长工艺生长的富磷InP
机译:玉米生长和开花对缺磷反应的遗传分析,以及对六个菌根分离株在缺磷条件下促进玉米基因型生长的能力的评估。
机译:III型Ce3 +:KGd(PO3)4的VUV-UV同步加速器激发下的单晶生长光吸收和发光特性一种有希望的闪烁体材料
机译:用可变混合物(INP,GaAs,GaN,SiC)对单晶表面生长在单晶表面上的ZnO原子排序的影响
机译:在Inp上生长的II-VI宽带隙半导体材料Znse,ZnCdse和ZnCdmgse的蚀刻坑研究
机译:公开了一种通过在酸性需氧条件下用包括浸出活性和聚磷酸盐储存微生物的微生物处理重金属和含磷固体来从重金属和含磷酸盐的固体中选择性地回收磷的方法。在此过程中,重金属和磷酸盐从固体中释放出来,释放出的磷酸盐被储存在多磷酸盐中的微生物吸收。富磷生物质被分离。
机译:单晶,特别是硅单晶,是在相对于相界轴向温度梯度高拉速的颈部生长条件下生长的
机译:基于氧硅酸盐的单晶闪烁体材料的生长方法以及通过该方法制备的单晶闪烁体材料
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