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陈爱华; 杨瑞霞; 杨帆; 刘志国; 孙聂枫;
河北工业大学信息工程学院;
中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路国家重点实验室;
磷化铟; 液封直拉法; 晶格应变; 残留应力;
机译:原位P注入合成LEC-InP单晶的研究
机译:响应面分析法研究了掺砷铁土中磷和铁对生菜根系生长的影响。
机译:六英寸掺铁InP单晶
机译:磷蒸气控制LEC法的低位脱位密度InP单晶的生长
机译:通过光学和热结电容技术研究掺磷的氢化非晶硅中的缺陷反应和晶格弛豫
机译:应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的(001)图案化Si衬底上生长的InP的缺陷
机译:LEC(液体封装的Czochralski)Inp晶体生长的研究进展
机译:掺磷的硅的中子辐照涉及大气回火的修复晶格损伤。续磷
机译:LEC(液体包封的直拉斯基)法改善高质量复合半导体单晶生长过程中的热环境的方法
机译:X射线LEC法检测单晶外直径
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