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庶民;
无;
化合物半导体; PC-LEC法; 单晶; 磷化铟;
机译:薄膜的气体传感特性制备TERMOOKSIDIROVANIYA的InP单晶表面
机译:VB法制备n型InP单晶
机译:通过L-MBE在(100)Si,GaAs和InP单晶晶片上制备ZnO薄膜的新型纳米体系结构,在纳米机器人(机械加工)器件制造中具有重要价值
机译:TB-LEC法减少了INP单晶中的位错密度
机译:使用同步加速器白束X射线形貌研究CdZnTe和InP单晶中的缺陷生成。
机译:InP在低至220°C的低温下形状受控的InP单晶生长
机译:用可变混合物(INP,GaAs,GaN,SiC)对单晶表面生长在单晶表面上的ZnO原子排序的影响
机译:熔盐电解法制备Inp及相关III-V单晶和外延层的制备与表征。
机译:用LEC法制备复合半导体单晶的方法
机译:LEC法制备复合半导体单晶
机译:InP单晶晶片和InP单晶的制造方法
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