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黄俊; 魏珂; 刘新宇;
中国科学院微电子研究所;
AlGaN/GaN; HEMT; 凹栅槽; 低损伤刻蚀; C2H4;
机译:具有0.3μm栅长的AlGaN / GaN HEMT的低损伤,基于Cl {sub} 2基的栅凹槽蚀刻
机译:利用光电化学反应对AlGaN / GaN HEMT进行低损伤刻蚀
机译:AlGaN / GaN-HEMT低损伤干法刻蚀研究
机译:栅槽式Al2O3 / AlGaN / GaN MOS-HEMT中Al2O3层和刻蚀深度对2DEG片密度的影响机理。
机译:低维硅MOS和AlGaN / GaN HEMT器件中的应变效应。
机译:面向增强模式特性的具有双AlGaN势垒设计的嵌入式栅AlGaN / GaN MIS-HEMT研究
机译:在未掺杂的AlGaN / GaN HEMT结构上制造的无栅FET pH传感器HEMT结构
机译:改善GaN / alGaN HEmT性能和可靠性的钝化技术发展
机译:具有与c-AlGaN覆盖层绝缘的栅电极的常关立方相GaN(c-GaN)HEMT
机译:绝缘栅AlGaN / GaN HEMT
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