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孙静静; 邹志强; 王丹; 赵明海; 陈礼;
上海交通大学微纳科学技术研究院;
上海交通大学分析测试中心;
上海交通大学物理系;
上海交通大学材料科学与工程学院;
扫描隧道显微镜(STM); Si(100)-2×1重构表面; 纳米线; 棒状物; 三维岛状硅化物;
机译:Ni-P / Si(100)体系中固相反应外延生长具有原子平面硅化物/ Si界面的均匀NiSi_2层
机译:使用表面台阶调整硅化物的反应性外延:Si(111)上的硅化物量子点阵列
机译:通过亚稳态原子去激发光谱和光致发光研究了Si(100)上外延Yb硅化物的生长-Art。没有。 115417
机译:通过pH / sum 3 / si / su / h / sub 6 /上的替代表面反应通过替代表面反应掺杂P原子层的外延生长。应变Si / sub 1-x / ge / sub x // si(100)超薄低压CVD
机译:Si(100)外延生长和氧化的吸附动力学和动力学。
机译:通过分子束外延在Si(100)表面形成Ge-Sn纳米点
机译:SI(100)和SI1-xGEx(100)表面上硅锗外延生长的基本过程的理论研究
机译:使用Te作为表面活性剂,在si(100)上外延生长Ge。
机译:在结构化si(113)-表面上选择性外延生长si或siφ1-φφ×φgeφ×φ的方法
机译:在(100)硅基板上蚀刻的(111)表面上使用外延硅化物的半导体器件
机译:(HVPE)生长半极性{11-22}氮化镓和{1-100} m表面平坦和非极性氢化物气相外延
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