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陈刚; 万钧; 王迅;
中国物理学会;
分子束外延生长; Si薄膜; Er硅化物;
机译:W盖改善了Si(100)上Er硅化物的形成
机译:硅化物磷化物Gd_4Co _(13)(Si,P)_9,同型镧系钴硅化物磷化物Ln_4Co_(13)(Si,P)_9(Ln = Sm,Tb,Dy,Ho,Er)的晶体结构磷化铀铀U_4Fe_(13)P _9
机译:通过低能离子注入在Si(111)和Si(100)表面上形成纳米尺寸的硅化物膜
机译:固体源分子束外延生长期间Si(100)中P在Si(100)中的表面偏析比例
机译:Si(100)的光学二次谐波产生对过程定制表面和嵌入Ag纳米结构的研究,用于先进的Si非线性纳米运动
机译:控制Si(111)表面上分子束外延生长的In-Bi原子膜的极性
机译:三元稀土金属硅化物R5Ir4si10(R = Tb,Dy,Ho,Er)反铁磁转变的低温比热研究
机译:Xps研究si(100)和si(111)表面上超薄铂和铱硅化物层的形成。
机译:100器件,包括在100Si上的表位镍硅化物或在非晶硅上的稳定的镍硅化物及其制造方法
机译:在非晶硅上包括(100)Si上的表位镍硅化物或非晶硅上的稳定镍硅化物的装置及其制造方法
机译:在(100)硅基板上蚀刻的(111)表面上使用外延硅化物的半导体器件
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