科研证明
文献服务
退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
余长敏; 罗志永; 刘宇;
上海华虹宏力半导体制造有限公司;
漏电流; 击穿电压; 接触孔; 黏合层; 离子注入;
机译:直接源极到漏极隧穿区中的掺杂隔离肖特基源极/漏极双栅MOSFET设计
机译:沟槽栅MOSFET的漏极电流建模
机译:具有源极/漏极耗尽效应的短沟道无结圆柱型环绕栅MOSFET的亚阈值电流的紧凑模型
机译:屏蔽栅沟槽功率MOSFET中的BV DSS inf>(漏极至源极击穿电压)不稳定
机译:用于100nm CMOS的浅沟槽隔离和凸起的源极/漏极的设计,制造和表征。
机译:洛仑兹力对单漏极MOSFET的漏极电流调制用于磁传感应用
机译:3MEV - 电子束诱导阈值电压偏移和漏极电流降解ZVN3320FTA&amp上的漏极电流降解; ZVP3310FTA商业MOSFET.
机译:具有镍合金源/漏极的基于锑化物的异质结构p沟道mOsFET。
机译:用作布置在半导体主体中的MOSFET或IGBT的半导体元件包括具有第一导电性的源极和漏极区域,布置在该源极和漏极区域之间的主体区域以及栅电极
机译:布置在用作MOSFET的半导体主体中的半导体组件包括源极区和漏极区,布置在源极区和漏极区之间的主体区以及通过电介质与主体绝缘的栅电极
机译:FET的栅电极由沟槽中的单晶硅组成,并通过栅氧化物与源极和/或漏极进行绝缘,栅电极的材料与源极相同
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。