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CHIENPING LEE; SHLOMO MARGALIT; AND YARIV; 杨德林;
机译:异质结GaAlAsGaAs激光器中的快速降解现象
机译:在半绝缘GaN衬底上生长的III型氮化物异质结场效应晶体管,没有再生界面电荷
机译:在半绝缘InGaP缓冲层上生长的InGaP / GaAs异质结双极晶体管
机译:半绝缘衬底上具有气桥触点的AlGaAs / GaAs脊形波导激光器,调制响应频率为21 GHz
机译:基于在结构化衬底上生长的低阈值应变InGaAs / GaAs量子阱激光器的光电器件
机译:具有再生欧姆接触的半绝缘Ammono-GaN衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管
机译:使用载流子拥挤在半绝缘衬底上的双异质结构GaAs-GaAIAs注入激光器
机译:在单片Gaas / si衬底上制造的alGaas双异质结构二极管激光器
机译:在GaAs半绝缘衬底上异质外延沉积InP的方法
机译:Npn-异质结双极晶体管,包括在半绝缘的磷化铟衬底上形成的锑化物基极
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