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Npn-heterojunction bipolar transistor including an antimonide base formed on semi-insulating indium phosphide substrate

机译：Npn-异质结双极晶体管，包括在半绝缘的磷化铟衬底上形成的锑化物基极

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A heterojunction bipolar transistor (HBT) (10, 30) includes an indium-gallium-arsenide (InGaAs), indium-phosphide (InP) or aluminum-indium-arsenide (AlInAs) collector layer (14) formed over an indium-phosphide (InP) substrate (12). A base layer (16, 32) including gallium (Ga), arsenic (As) and antimony (Sb) is formed over the collector layer (14), and an AlInAs or InP emittor layer (18) is formed over the base layer (16, 32). The base layer may be ternary gallium-arsenide-antimonide (GaAsSb) doped with beryllium (Be) (16) (Fig. 1). IMAGE

机译：异质结双极晶体管（HBT）（10、30）包括形成在磷化铟（InGaAs）上的磷化铟（InGaAs），磷化铟（InP）或铝铟化砷（AlInAs）集电极层（14）。 InP）衬底（12）。在集电极层（14）上形成包括镓（Ga），砷（As）和锑（Sb）的基层（16、32），并且在基层（14）上形成AlInAs或InP发射体层（18）。 16、32）。基础层可以是掺有铍（Be）的三元砷化镓-锑（GaAsSb）（16）（图1）。 <图像>

著录项

公开/公告号EP1209750B1

专利类型
公开/公告日2010-06-02

原文格式PDF
申请/专利权人 DIRECTV GROUP INC;
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申请/专利号EP20020002355
发明设计人 STANCHINA WILLIAM E.;HASENBERG THOMAS;
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申请日1993-05-27
分类号H01L29/737;
国家 EP
入库时间 2022-08-21 18:40:12

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