退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
朱射章;
浙江无线电厂;
机译:双极硅功率半导体的温度依赖性表征-一种通过器件验证的新物理模型-400-100 K之间的内部探测
机译:双极硅功率半导体的温度依赖性表征-通过器件验证的新物理模型-400-100 K之间的内部探测
机译:具有16 GHz f / sub t /双多晶硅双极型器件的亚微米BiCMOS的工艺集成和器件性能
机译:具有NiGe金属源极/漏极的双轴和单轴应变Ge-on-绝缘体pMOSFET中(001)/ <100>取向沟道的优势
机译:用于硅基MOS器件的新型沟道材料:锗,应变硅和混合晶体取向。
机译:四面体硅基的择优取向磷光有机发光二极管中的主体
机译:高浓度砷离子注入硅中及其在双极器件中的应用
机译:mOs硬化技术在双极器件加工中的应用。
机译:通过生产具有(110)硅的混合取向(100)应变硅的方法制成的半导体器件
机译:通过将(100)应变硅与(110)硅混合制备取向方法制造的半导体器件
机译:FinFET pMOS双栅半导体器件,具有通过可收缩的栅电极材料施加到沟道的单轴拉伸应变,<110>晶体取向的电流以及具有沟道的源极和漏极肖特基接触及其制造方法
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。