提高双极器件中电荷载流子迁移率的方法以及双极器件

摘要

通过在器件中产生压应变以提高电子在器件中的迁移率以及在器件中产生张应变以提高空穴在器件中的迁移率，提高了电荷载流子在双极(BJT)器件中的迁移率。借助于将应力膜涂敷在器件的发射极结构邻近以及器件的基极膜顶部上，来产生压应变和张应变。以这种方式，压应变和张应变被定位在器件本征部分的紧邻处。应力膜的适当材料是氮化物。发射极结构可以是“T形的”，它具有直立部分顶部上的横向部分，直立部分的底部与基极膜形成接触，且横向部分悬挂在基极膜之上。