一种新型阻变存储器1T2R存储单元

摘要

提出了一种新型阻变存储器（RRAM）1T2R结构，该结构利用一个大尺寸晶体管驱动两个忆阻器，弥补了工艺节点缩小带来的晶体管驱动能力不足的缺点。针对RRAM 1T2R结构中固有的串扰路径问题，专门设计的读方法可以截断串扰路径，抑制串扰电流，使得一个1T2R存储单元可以有效存储2 bit信息，提高RRAM的存储密度。同时，还可以通过直接读取BL上的电流对同一个存储单元内的2 bit信息做OR/NOR以及AND/NAND逻辑运算。本结构已利用UMC 28 nm工艺流片验证，流片结果为每个RRAM器件占有的平均面积为0.035 5μm~2，测试结果表明，本结构可以在读过程中有效抑制串扰电流，得到大的开关比，避免对高阻态RRAM的误读。