A Multilevel Memristor-CMOS memory cell as A ReRAM (vol 46, pg 1283, 2015)

Rabbani Payam; Dehghani Rasoul; Shahpari Nima

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A Multilevel Memristor-CMOS memory cell as A ReRAM (vol 46, pg 1283, 2015)

机译：一种多级忆阻器CMOS存储单元作为ReRAM（vol 46，pg 1283，2015）

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来源
《Microelectronics journal》 |2016年第8期|166-166|共1页
作者
Rabbani Payam; Dehghani Rasoul; Shahpari Nima;
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作者单位

Isfahan Univ Technol, Dept Elect & Comp Engn, Esfahan 8415683111, Iran;

Isfahan Univ Technol, Dept Elect & Comp Engn, Esfahan 8415683111, Iran;

Isfahan Univ, Fac Engn, Dept Elect Engn, Esfahan, Iran;

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收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
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正文语种 eng
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