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陈克金;
机译:适用于1.9 GHz单芯片前端MMIC的具有高功率效率和低噪声系数的埋线自对准GaAs MESFET
机译:以设计为中心,提高GaAs MESFET的良率和噪声系数
机译:半微米栅长离子注入GaAs MESFET,16 GHz时噪声系数为0.8 dB
机译:从扫频噪声系数测量中提取GaAs MESFET和PHEMT的噪声参数
机译:用于77 GHz汽车雷达的离子注入式GaAs MESFET MMIC。
机译:基于GaAs的集成无源器件技术的片上微型带通滤波器用于L波段应用
机译:有源器件的fT / 2的低噪声系数宽带0.3-7 GHz MESFET放大器
机译:K波段Gaas mEsFET的大信号表征,放大器设计和性能
机译:具有LDD和非均匀P阱掺杂分布的GaAs MESFET
机译:GAAS MESFET的高频建模方法
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