利用Xα—重叠球方法研究半导体的局域电子结构——Ⅲ.硅中的某些深能级杂质

摘要

作为本文研究的主要目的,证实了Xα—重叠球方法在研究共价半导体中深能级杂质的适用性.作者利用自旋非极化的Xα—重叠球方法计算了硅中硫、氧和碳的杂质能级,得到了与实验或理论基本一致的结果.中性硫原子在硅中为处于Ec-0.39eV的深施主能级.中性氧原子在硅中的行为与理论预言大体相符,为Ev+0.22eV的深施主能级.本文得到的硅中杂质碳的能级是Ec-0.08eV,它可能为处于较浅部位的深杂质能级.