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李金鹏; 周科宏; 黄义;
重庆邮电大学光电工程学院;
重庆400065;
电场分布; 超结; 梯度掺杂; 击穿电压; 导通电阻;
机译:高压超结GaN基垂直异质结场效应晶体管的不均匀掺杂缓冲抑制电荷不平衡效应的理论研究
机译:具有源极连接场板的高击穿电压GaN基电流孔径垂直电子晶体管的研究
机译:通过在由InGaAs沟道和N极GaN漏极组成的晶圆结合电流孔径垂直电子晶体管中实施InGaN中间层来减少势垒
机译:在采用碳掺杂的GaN超晶格缓冲层的GaN基高电子迁移率晶体管中减少泄漏电流
机译:III-As / N极性III-N晶片键合异质结及其在电流孔径垂直电子晶体管中的实现
机译:AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的电流崩塌是否可能源于沟道电子的能量弛豫?
机译:金属有机化学气相沉积再次再次重新加强大面积GaN-On-GaN电流孔径,具有高电流能力的垂直电子晶体管
机译:GaN功率电子器件:从GaN-on-si横向晶体管到GaN-on-GaN垂直晶体管和GaN CmOs IC。
机译:GaN基超结垂直功率晶体管及其制造方法
机译:具有高掺杂外延源/漏极,尖锐结梯度和/或降低寄生电容的垂直运输场效应晶体管的精确底部结形成
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