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李成; 李好斯白音; 李耀耀; 王凯; 顾溢; 张永刚;
中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050;
中国科学院研究生院,北京100039;
探测器; 暗电流; 数字递变超晶格; InGaAs;
机译:InGaAs PIN光电探测器中考虑陷阱辅助隧穿机制的暗电流分析
机译:MOVPE生长的2.5 / splμ/ m波长InGaAs光电探测器的暗电流优化
机译:缓冲层和工艺对2.5μm波长2/100失配InGaAs光电探测器暗电流的影响
机译:双电子势垒结构用于抑制基于微结的Ⅱ型InAs / InAsSb超晶格长波长红外光电探测器中的暗电流
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:基于微结的双电子势垒II型InAs / InAsSb超晶格长波长红外光电探测器的暗电流降低
机译:基于微结的双电子屏障Type-II INAS / INASSB超晶格长波长红外光电探测器的暗电流降低
机译:双异质结构InGaas / Inp pIN光电探测器
机译:InP / InGaAs单片集成光电探测器和异质结双极晶体管
机译:基于异质外延结构InGaAs / InP的平面pin光电二极管
机译:InGaAs / InP使用InGaAs / InP雪崩光电二极管在双极矩形门控信号下工作的近红外单光子探测器。
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