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高山城; 罗艳红; 张婷婷; 赵卫; 高飞; 李翀;
西安电力电子技术研究所;
西安710061;
阻断电压; 通流能力; 通态压降; 反向恢复电荷; 关断时间;
机译:p / sup-/层穿通结构,带有厚的高浓度p发射极,用于光触发晶闸管
机译:具有厚的高浓度p发射极的p层穿通结构,用于光触发晶闸管
机译:激光掺杂发射极层和选择性发射极层的深度控制及其太阳能电池特性
机译:p / sup-/-具有高浓度p发射极的层穿通结构,用于光触发晶闸管
机译:具有砷化铟镓发射极层的异质结双极晶体管的钯-锗欧姆接触制造和表征。
机译:使用三步旋涂CH3NH3PbBr3发射极和PEDOT:PSS / MoO3-氨复合空穴传输层提高钙钛矿发光二极管的效率
机译:黑色硅磷发射极的表面钝化及原子层沉积的SiO2 / Al2O3叠层
机译:螺栓穿通横向加载层合板的失效机理
机译:具有至少四层不同的晶闸管的晶闸管,其中通过使与接触的外部发射极层相邻的控制基极层与被施加,引导和接触的外部控制基极相邻的控制基极层的短路而断开连接
机译:具有发射极表面损耗补偿的MOS控制晶闸管-在各个晶闸管单元或晶闸管之间的栅电极下方的基极层中具有辅助发射极区
机译:LED例如有机LED芯片具有设置在另一发射极层和第三发射极层之间的发射极层,以及彼此间隔开且与镜面层隔开一定距离的发射极层的产生辐射的发射区。
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