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贺威; 张正选;
深圳大学电子科学与技术学院;
深圳518060;
中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
上海200050;
环栅; 绝缘体上硅; SPICE模型; 宽长比; 体接触;
机译:超薄SOI CMOS器件的分析背栅偏置效应模型
机译:用于SOI CMOS单事件扰动中的寄生双极晶体管作用的电荷控制SPICE工程模型
机译:使用兼容SPICE的物理子电路模型仿真部分和接近完全耗尽的SOI MOSFET器件和电路
机译:使用简洁的SOI-SPICE模型对部分耗尽(PD)SOI CMOS器件中的单晶体管锁存行为进行建模
机译:用于超低压应用的钨栅完全耗尽SOI CMOS器件和电路的研究。
机译:用于高级CMOS器件的铝酸镧高介电常数栅氧化物的综合研究
机译:采用浅沟槽隔离的深亚微米VLsI CmOs器件的闭合背栅偏置相关反向窄通道效应模型
机译:刚性棒芳族杂环聚合物体系的模型化合物研究,2,6-二苯基苯并(1,2-d; 5,4-d')二咪唑四水合物,C 2 OH 14 N 4的X射线晶体结构。 4H2O,聚合物 - 水的研究模型系统
机译:具有体栅连接的SOI CMOS器件
机译:低功耗高速CMOS / SOI器件的背栅偏置控制
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