SiC及其功率器件的激光制孔研究进展

摘要

SiC作为第三代半导体材料的典型代表,因具有优异的物化性能,在功率器件领域具有极大的应用前景。文章简要介绍了激光制孔的基本原理,综述了SiC的长脉冲与超短脉冲激光制孔研究进展,对比了长脉冲与超短脉冲激光的加工特点,分析了不同脉冲宽度下SiC的制孔效果。同时,介绍了GaN/SiC,AlGaN/GaN/SiC等SiC功率器件的激光制孔研究现状。最后,指出了SiC及其功率器件激光制孔面临的挑战,并展望了未来的发展方向。