一种SiC功率器件的制备方法和SiC功率器件

摘要

本申请涉及半导体技术领域中的一种SiC功率器件的制备方法和SiC功率器件，包括以下步骤：使用清洗气体一对SiC衬底层的晶面缺陷进行清洗；通过PECVD方法在SiC衬底层上生长氧化物固溶体薄膜，且氧化物固溶体薄膜的厚度为20～50nm；在氮气环境下对氧化物固溶体薄膜进行精细分层，得到分相层，其中，精细分层的温度为500～900℃；使用清洗气体二对分相层的悬挂键钝化和悬挂键缺陷进行清洗；采用磁控溅射法在分相层上沉积第一电极层，在SiC衬底层上沉积第二电极层，具有沟道迁移率高、静态功耗低、可靠性高的优点，突破了因隧穿电流过大，造成栅极处较大能量损耗的瓶颈。