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邓志杰(摘译);
SiC; 会议简介; 材料; 功率器件; 欧洲; 汽车制造商; 巴塞罗纳; 电子器件;
机译:回应Tilak和Matocha对A. Agarwal和S. Haney的文章“ SiC功率器件中的一些关键材料和加工问题”的评论。电子。物质,卷。 37号5,第646-654页(2008年)]
机译:基于SIC的材料加入(单片SIC和SIC_F / SIC复合材料)的最新进展:加入过程,关节力量和界面行为
机译:SiC基材料(整体SiC和SiC f Subscript> / SiC复合材料)的连接研究的最新进展:连接过程,连接强度和界面行为
机译:与栅极驱动器复杂度相关的商用SiC功率器件(SiC JFET和SiC MOSFET)的开关性能评估
机译:原位钢化SiC陶瓷,添加Al-B-C和氧化物涂层的SiC薄片/ SiC复合材料。
机译:氧化损伤对使用国内高尼克隆型SiC纤维的SiC / SiC复合材料力学性能的影响
机译:融合功率电抗器设计采用SIC / SIC复合材料作为结构材料
机译:siC离散功率器件 - 平面6H-siCaCCUFET的分析和优化;平面横向沟道siC垂直高功率JFET;平面横向通道mEsFET-a新型siC垂直功率器件;通过热壁化学气相沉积Chara生长
机译:用于制造单晶SiC的材料,用于制造该材料的方法,用于使用该材料制造单晶SiC的方法以及通过用于制造单晶SiC的方法获得的单晶SiC
机译:SiC纤维增强的SiC复合材料及制造SiC纤维增强的SiC复合材料的方法
机译:SiC单晶,其制造方法,SiC晶片,半导体器件以及用于制造SiC单晶的原材料
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