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王兰喜; 陈学康; 王瑞; 曹生珠;
兰州物理研究所表面工程技术国家级重点实验室,兰州730000;
AlGaN薄膜; 紫外探测器; 时间响应; 陷阱效应; 晶界;
机译:AlGaN太阳盲紫外光电探测器的性能:响应度和衰减时间
机译:通过分子束外延生长的AlGaN薄膜中的成分不均匀性:对MSM紫外光电探测器的影响
机译:AlGaN中的重组机制及其对紫外探测器响应的影响
机译:响应时间低于20 ps的基于AlGaN的超快紫外金属半导体金属光电探测器
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:晶界特性对纳米孪晶铜热稳定性的影响
机译:退火温度对Ga掺杂ZnO薄膜金属 - 半导体 - 金属紫外光电探测器特性的影响
机译:高{Tc}超导薄膜和带材中传输特性与晶界原子结构的相关性
机译:利用透射电子显微镜的测角仪-ta,对相邻晶粒进行结晶学方向相关的测量,以确保在仔细检查中晶界的晶界特性。
机译:具有紫外线响应的涂层球形硅纳米颗粒薄膜紫外线探测器及其制备方法
机译:具有紫外线响应的包覆球形硅纳米微粒薄膜紫外线探测器及其制备方法
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