增强AlGaN基深紫外探测器响应度的方法

摘要

本发明公开了一种增强AlGaN基深紫外探测器响应度的方法，属于半导体技术领域，解决了现有AlGaN基深紫外探测器响应度低的技术问题。本发明的方法包括以下步骤：(1)生长AlGaN基深紫外探测器材料；(2)在AlGaN基深紫外探测器材料表面制备能够产生表面等离激元共振的金属纳米结构体系，所述的金属纳米结构体系由分散的银纳米颗粒或者分散的铝纳米颗粒组成；(3)制备电极，得到AlGaN基深紫外探测器。本发明的方法增强了AlGaN基深紫外探测器的响应度，且工艺简单、成本低廉、应用广泛。