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乌李瑛; 柏荣旭; 瞿敏妮; 田苗; 沈赟靓; 王英; 程秀兰;
上海交通大学电子信息与电气工程学院先进电子材料与器件校级平台;
上海200240;
Beneq上海代表处;
上海200135;
二氧化铪(HfO2); 原子层沉积(ALD); 热原子层沉积(TALD); 等离子增强原子层沉积(PEALD); 介电常数;
机译:工艺温度对采用TDMAT前驱体的等离子增强ALD TiN金属栅极的ALD HfO2 MOS器件功函数调制的影响
机译:使用热ALD沉积HFO2薄膜对C-Si表面钝化的研究
机译:ALD沉积HfO2薄膜早期生长阶段中作为前体的HfCl4,Hfl(4),TEMA-Hf和TDMA-Hf的比较:DFT研究
机译:用热ALD,等离子体ALD和PECVD沉积铝氧化铝表面钝化膜的比较
机译:电子增强原子层沉积(EE-ALD),用于室温生长氮化镓,硅和氮化硼薄膜
机译:等离子体增强原子层沉积在低温下沉积的HfO2薄膜的结构光学和电学性质
机译:原子层沉积(aLD) - 沉积二氧化钛(TiO2)厚度对Zr40Cu35al15Ni10(ZCaN)/ TiO2 /铟(In)基电阻随机存取存储器(RRam)结构性能的影响。
机译:用Al2O3,HfO2和ZrO2沉积ALD薄膜以提高生产率的方法
机译:用于空间等离子体增强原子层沉积的微波等离子体源(PE-ALD)加工工具
机译:用于空间等离子体增强原子层沉积(PE-ALD)处理工具的微波等离子体源
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